DIODE
Diode adalah komponen elektronika
semikonduktor yang memiliki 1 buah junction, sering disebut sebagai komponen 2
lapis (lapis N dan P). Dioda merupakan suatu semikonduktor yang hanya dapat
menghantar arus listrik dan tegangan pada satu arah saja. Bahan pokok untuk
pembuatan dioda adalah Germanium (Ge) dan Silikon/Silsilum (Si).
- Struktur Binaan bagi diod adalah sama dengan cantuman P-N. ( Unit2 )
- Diod ialah komponen elektronik dua pin yang terdiri dari anod dan katod.
- Anod adalah bahan jenis P dan katod bahan jenis N.
- Arah anak panah (anod) pada simbol diod menunjukkan arah arus konvensional.
Apabila suatu diod
dipincang depan dan dipincang songsang, dimana setiap nilai voltan pincang itu
dicatat, dan bagi tiap-tiap nilaiv oltan pincang itu dicatat juga nilai-nilai
arus yang mengalir melalui diod itu, maka suatu graf
Lengkok
Cirian I-V
Arus Depan (Id)
ialah arus yang mengalir
melalui diod semasa pincang depan. Biasanya Id diukur dalam mA.
Arus Songsang (Is)
ialah arus yang sangat
kecil iaitu arus bocor yang mengalir
melalui diod semasa pincang songsang.
Voltan lutut
ialah takat voltan di mana
berlakunya kenaikan arusdepan yang tiba-tiba. Voltan lutut sama dengan voltan
sawar. ( Si =0.7 V, Ge = 0.3 V )
Voltan Pecah Tebat
ialah takat voltan di mana
berlakunya kenaikanarus songsang yang tiba-tiba. Arus yang besar melampaui
takatpecahtebat boleh menyebabkan cantuman PN terbakar dan rosak.
ZENER DIODE
Diod Zener sangat penting
dalam bekalan kuasa. Ia digunakan sebagaipenstabil voltan.
Simbol bagi diod zener
ialah seperi rajah 3.6 di
bawah.3.2.1 Lengkuk Cirian Diod Zener
·
Semasa pincang depan, lengkuk cirian tidak
banyak beza dengan diod biasa.
·
Semasa pincang songsang, lengkuk kenaikan
arus pada takat pecah tebat adalah lebih tajam dan curam.
·
Bezanya diod zener berbanding dengan diod
biasa ialah diod zener beroperasi semasa pincang songsang.
·
Semasa pincang depan, diod zener beroperasi
seperti diod biasa.
Di antara keistimewaan diod
zener ialah :-
![*](file:///C:/Users/Najwa/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image001.gif)
![*](file:///C:/Users/Najwa/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image001.gif)
![*](file:///C:/Users/Najwa/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image001.gif)
Ciri-Ciri Diod Zener
Sebuah diod simpangan p-n biasa dipincang
balik dngan voltan yang cukup tinggi,ia akan runtuh danarus balikan
tinggi mengalir. Arus balikan tersebut wujud kerana voltan balikan yang
tinggi mampu untuk menarik keluar elektro valensi daripada atom- atom
menambahkan bilangan pembawa tersedikitdalam bahagian n dan p diod
berkenaan. Voltan balikan menyebabkan diod sampingan p-n biasanya runtuh
dikenali sebagai voltan runtuhan diod.Diod simpang p-n biasanya boleh musnah
jka dikenakan voltan-voltan runtuhan. Ini adalah kerana arus balikan yang
tinggi menyebabkan haba yang berlebihan daripada haba yang mampu
dilesapkan oleh diod berkenaan. Walau bagaimanapun, diod-diod khas, diaman
voltan dikendalikan mereka sama atau lebih daripada voltan runtuhan,ada dibina.
LED
LED ialah sejenis diod
istimewa yang mengeluarkan cahaya bila disambungdalam litar. Ia biasanya
digunakan sebagai lampu penunjuk yangmenentukan samada alatan elektrik dalam
keadaan ³
ON dan OFF
KEISTIMEWAAN LED
·
Cahaya
Terang
·
Rendah
watt (18 watt setara 35 watt HID)
·
Umur
Panjang
·
Tampilan
Keren
·
Banyak
pilihan warna (untuk lampu senja)
·
Pancaran
cahaya dingin tidak seperti halogen dan bohlam biasa.
CIRI-CIRI LED
1. Cekap tenaga-tenaga-tinggi penjimatan tenaga bersih dan mesra alam. DC pemacu, penggunaan kuasa ultra rendah (tiub tunggal 0,03-0,06 watt) dan penukaran kuasa elektro-optik hampir 100%, kesan pencahayaan yang sama daripada sumber-sumber tenaga tradisional lebih daripada 80%.
2. Berteknologi tinggi hujung dengan sumber cahaya konvensional bersinar membosankan berbanding dengan sumber cahaya yang LED adalah 1 voltan rendah mikroelektronik produk, yang integrasi berjaya teknologi komputer, rangkaian teknologi komunikasi, pemprosesan imej, kawalan tertanam teknologi, jadi ia adalah juga produk maklumat digital. teknologi "titik tinggi" yang peranti semikonduktor optoelektronik, pengaturcaraan dalam talian, berskala tanpa had.
3. Faedah alam sekitar faedah alam sekitar yang lebih baik, tiada spektrum ultraungu dan inframerah, baik kitar semula haba tidak radiasi, silau, dan pembaziran, tiada pencemaran, tiada elemen merkuri, sumber cahaya sejuk, adalah selamat untuk disentuh, adalah tipikal dalam lampu hijau.
4. Sepanjang hayat LED sumber cahaya yang sesetengah orang panggil lampu panjang umur, yang bermaksud cahaya tidak pernah padam. Pepejal sumber cahaya sejuk, resin epoksi, badan ringan, dan tiada bahagian yang longgar, tidak tidak wujud lampu filamen mudah untuk membakar, pemendapan haba, yang pudar cahaya dan kekurangan yang lain, yang hidup perkhidmatan sehingga 60.000 kepada 100.000 jam, 10 kali lebih lama daripada cahaya tradisional sumber kehidupan atau lebih.
1. Cekap tenaga-tenaga-tinggi penjimatan tenaga bersih dan mesra alam. DC pemacu, penggunaan kuasa ultra rendah (tiub tunggal 0,03-0,06 watt) dan penukaran kuasa elektro-optik hampir 100%, kesan pencahayaan yang sama daripada sumber-sumber tenaga tradisional lebih daripada 80%.
2. Berteknologi tinggi hujung dengan sumber cahaya konvensional bersinar membosankan berbanding dengan sumber cahaya yang LED adalah 1 voltan rendah mikroelektronik produk, yang integrasi berjaya teknologi komputer, rangkaian teknologi komunikasi, pemprosesan imej, kawalan tertanam teknologi, jadi ia adalah juga produk maklumat digital. teknologi "titik tinggi" yang peranti semikonduktor optoelektronik, pengaturcaraan dalam talian, berskala tanpa had.
3. Faedah alam sekitar faedah alam sekitar yang lebih baik, tiada spektrum ultraungu dan inframerah, baik kitar semula haba tidak radiasi, silau, dan pembaziran, tiada pencemaran, tiada elemen merkuri, sumber cahaya sejuk, adalah selamat untuk disentuh, adalah tipikal dalam lampu hijau.
4. Sepanjang hayat LED sumber cahaya yang sesetengah orang panggil lampu panjang umur, yang bermaksud cahaya tidak pernah padam. Pepejal sumber cahaya sejuk, resin epoksi, badan ringan, dan tiada bahagian yang longgar, tidak tidak wujud lampu filamen mudah untuk membakar, pemendapan haba, yang pudar cahaya dan kekurangan yang lain, yang hidup perkhidmatan sehingga 60.000 kepada 100.000 jam, 10 kali lebih lama daripada cahaya tradisional sumber kehidupan atau lebih.
APLIKASI LITAR
TRANSISTOR
Transistor
yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor dwipolar, iaitu
melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol. Transistor tersebut juga
tergolong di dalam jenis komponen atau alat terkawal arus (current controlled device).
Satu
lagi kategori transistor ialah transistor “unipolar”
iaitu yang hanya melibatkan salah satu pembawa arus majoriti. Salah satu
transistor “unipolar” yang sering
digunakan ialah Transistor Kesan Medan
(Field Effect Transistor) atau ringkasnya dipanggil FET. Ia merupakan
komponen atau alat terkawal voltan (voltage
controlled device).
Ohm (simbol: Ω) ialah unit SI bagi rintangan elektrik, dinamakan sempena Georg Simon Ohm. Satu ohm bersamaan satu volt seampere. Kerana perintang ditentukan dan dikilangkan dalam satu julat nilai yang besar, unit-unit terbitan milliohm (1 mΩ = 10−3 Ω), kilohm (1 kΩ = 103 Ω), dan megohm (1 MΩ = 106 Ω) juga biasa digunakan.
Salingan bagi rintangan R disebut kealiran G = 1/R dan diukur dalam siemens (unit SI), kadangkala sebagai mho. Maka, satu siemens adalah silangan bagi satu ohm: . Walaupun konsep kealiran sering diguna dalam analisis litar, perintang praktikal sentiasa dinyatakan dalam sebutan rintangannya (ohm) berbading dalam sebutan kealiran
KEISTIMEWAAN TRANSISTOR
Keistimewaan
dari transistor FET ini dibandingkan dengan transistor bi-polar adalah bahwa
penyetelah tegangan muka pada G tidak memerlukan arus (karena pemberian
tegangan muka terbalik), karenanya tidak ada perhitungan arus G, yang ada
hanyalah besaran tegangan terbalik pada G. Di dalam penyetelan tegangan muka
pada transistor bi-polar, arus basis (Ib) masih didefinisikan dalam perhitungan.
Ketika FET bekerja di dalam sebuah rangkaian,
ada kalanya (sebenarnya) tetap terjadi arus antara G dan S, namun karena sangat
kecilnya (yaitu hanya dalam kisaran nanoAmpere) maka praktis dikatakan tidak
ada arus pada G. Adalah suatu kesalahan jika di antara G dan S hingga mengalir
arus, yang meskipun hanya pada bilangan miliAmpere namun ini sudah akan membuat
FET menjadi rosak.
CIRI-CIRI PERINTANG TETAP
JENIS
PERINTANG
|
CIRI-CIRI
|
Komposisi
karbon
|
· Kadaran
kuasa : 1/16-3 W.
· Rintangan
: 1-25 M.
· Digunakan
di dalam litar yang berkuasa rendah bagi semua frekuensi yang tidak begitu
stabil.
|
Selaput
Karbon
|
· Kadaran
kuasa : 1/8-3 W.
· Rintangan
: 1-20 M.
· Digunakan
di dalam litar yang berkuasa rendah bagi semua frekuensi.
|
Wayar
berlilit (besar)
|
· Kadaran
kuasa 1-300W.
· Rintangan
: 0.1-400M.
· Digunakan
di dalam litar yang memerlukan ketahanan
· pada
kesemua keadaan bagi mencapai suatu lesapan kuasa yang agak tinggi.
|
Wayar
berlilit (kecil)
|
· Kadaran
kuasa ¼ -2 W.
· Rintangan
: 1-5 M.
· Digunakan
di dalam litar yang memerlukan ketepatan yang tetap atau kosisten pada
kegunaan yang kritikal.
|
Selaput
logam oksida
|
· Kadaran
kuasa 1/8-2 W.
· Rintangan
1-22 M.
· Digunakan
di dalam litar berkuasa rendah yang memerlukan lebih tinggi nilainya daripada
yang diperolehi oleh perintang jenis karbon.
|
APLIKASI LITAR
SCR
SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai
3 terminal iaitu anod, katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu
diod penerus yang mempunyai elemen kawalan.
SCR banyak digunakan sebagai peranti
pensuisan di dalam aplikasi kawalan kuasa
Lengkuk
cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali terdapatnya
sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arus depan yang
tersekat seketika.
Semasa
pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA)
yang dialirkan oleh SCR itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun VF
dinaikkan, IA tetap tiada melainkan sedikit kenaikan arus bocor.
Arus pada paras ini dinamakan Arus Sekat Depan ( Forward Blocking Current ).Dengan keadaan IG masih 0 dan
VF terus dinaikkan, akan sampai pada suatu nilai voltan di mana IA
tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat. Nilai VF pada masa itu
khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover Voltage, VBRF1). VBRF1
ialah ketika IG = 0.
Jika
ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di
dalam rajah itu dilabelkan sebagai IG2, kejadian voltan pecah tebat
depan akan berlaku lebih awal lagi (VBRF2). Takat VBRF
boleh direndahkan lagi dengan menambahkan nilai IG. Begitulah
seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup
tinggi, SCR akan berlagak seperti diod biasa.
Sewaktu
SCR dipincang songsang (VR), SCR tidak akan mengalirkan arus kecuali
sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika VR terlalu tinggi,
akan sampai ke keadaan pincang songsang.
Arus
Penahan ( Holding Current ) ialah
paras di mana arus SCR berpindah dari keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
Semasa
pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan “OFF” dan “ON” ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan “OFF” , SCR bertindak seperti litar terbuka manakala semasa keadaan
“ON” SCR bertindak seperti litar
tertutup.
Semasa
pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.
Rajah
4.4 menunjukkan keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang songsang.
TRIAC
TRIAK
merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah. TRIAK juga
boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.
Seperti
SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR mengalirkan
arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.
TRIAK
boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan berlawanan arah seperti
rajah 4.5. Oleh kerana Anod SCR 1 disambung dengan Katod SCR 2, maka terminal
TRIAK dilabelkan MT1 (main
terminal 1) dan MT2 (main
terminal 2). Terminal get masih digunakan pada TRIAK kerana terminal get
SCR 1 dan SCR 2 dicantumkan.
Rajah
4.6 menunjukkan struktur binaan dan
simbol skematik bagi TRIAK
Lengkuk
cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali semasa pincang
songsang.
Semasa
pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk semasa pincang depan
tetapi berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama dengan ciri-ciri lengkuk
cirian SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan berkurang apabila arus get
bertambah
DIAK
Untuk
memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK yang tidak
mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2 terminal yang
dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2) sahaja. Rajah
4.8 menunjukkan simbol skematik bagi
DIAK.
DIAK
juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan. Rajah 4.9
menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod mengalirkan arus satu
arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah. Apabila MT1 positif, laluan arus ialah melalui
P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila MT2
positif, laluan arus ialah melalui P1-N2-P2-N3.
MT1
|
MT2
|
Rajah 4.8 : Simbol Skematik DIAK
|
LENGKUK
CIRIAN I-V BAGI DIAK
Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V
bagi DIAK
Lengkuk
cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-ciri get tidak
ada.
Berlainan
dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila voltan merentasinya
melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai get yang boleh mengurangkan voltan
pecah tebat.
MOSFET
MOSFET
adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide
semiconductor FET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca,
parit dan get. Yang membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan
dengan saluran (channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO2).
Oleh sebab itu, arus get menjadi semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai
IGFET (insulated-get FET).
Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan
peningkatan (depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan
sahaja (enhancement-only mode).
MOSFET Ragam Susutan Dan
Peningkatan ( DE MOSFET )
DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam
peningkatan dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (VGS).
Bila VGS adalah negatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan.
Sebaliknya bila VGS adalah positif, DE MOSFET beroperasi secara
ragam peningkatan.
Rajah 4.13 dan 4.14 menunjukkan struktur binaan dan
simbol DE MOSFET.
MOSFET
Ragam Peningkatan Sahaja ( E MOSFET )
E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan
sahaja. Ia beroperasi dengan nilai VGS yang besar.
Uni Junktion Transistor (UJT) adalah transistor yang
mempunyai satu kaki emitor dan dua basis. Kegunaan transistor ini adalah
terutama untuk switch elektronis. Ada Dua jenis UJT ialah UJT Kanal N dan UJT
Kanal P.
Satu
lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga transistor ialah
Transistor Ekasimpang ( Unijunction
Transistor ) atau ringkasnya dipanggil UJT.
UJT
berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbeza dengan FET
kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh mengawal kuasa AU yang
besar dengan isyarat yang kecil.
Rajah 4.16 menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina
daripada satu bar semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai
sedikit saja pembawa arus majoriti, dan dari dua hujungnya diterbitkan dua
terminal Tapak. Tapak yang di atas dilabel sebagai B2 dan yang di bawah sebagai
B1.
Suatu
lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya diterbitkan
terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungi banyak pembawa
arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah seperti rajah 4.16
GAMBAR RAJAH LENGKUK I-V
UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi:-
·
Kawalan
fasa
·
Pensuisan
·
Pemasa
·
Penjana isyarat
Jika sumbu IE kita pasangkan
vertikal lengkung, ciri UJT ini tampak mirip dengan lengkung ciri dioda dengan
keadaan tegangan maju. Arus IP disebut arus puncak dan menyatakan
arus emitor yang diperlukan untuk membuat agar UJT berkonduksi. Arus IV
disebut arus lembah, yang menyatakan
akhir daripada daerah hambatan negatif
Gambar
3.1. UJT
(a) Struktur
UJT
(b) Rangkaian
setara
(c) Lambang
UJT